温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

得到能够使夹断特性、截止耐压及瞬态响应全部变得良好的半导体装置。含有碳的第一GaN层(3)设置在衬底(1)之上。含有过渡金属和碳的第二GaN层(4)设置在第一GaN层(3)之上。含有过渡金属和碳的第三GaN层(5)设置在第二GaN层(4)之...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。