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一种半导体结构的形成方法，包括：形成半导体基底，所述半导体基底包括衬底、凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部的顶部和侧壁表面形成有屏蔽层；采用含氟气体去除所述屏蔽层；去除所述屏蔽层之后，对所述鳍部进行表面处理以去除所述鳍部表面的含氟副产物；形成横...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。