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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，在所述NMOS区域和所述PMOS区域上形成有栅极材料层；对所述NMOS区域上方的所述栅极材料层进行第一类型预掺杂离子注...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。