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本发明公开了一种场终止型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，其中，该方法包括：提供第一掺杂浓度的N型硅衬底；在N型硅衬底表面通过外延生长形成N-漂移层，N-漂移层的掺杂浓度为第二掺杂浓度，第二掺杂浓度小于第一掺杂浓度，N型硅衬底表面通过外延生长...
该专利属于无锡华润华晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润华晶微电子有限公司授权不得商用。

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