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一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成若干分立的半导体层，所述半导体层的横截面呈梯形状；形成石墨烯层，所述石墨烯层覆盖所述半导体层的顶部表面。所述半导体器件的形成方法抑制了半导体层中光波的耗散。...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。