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本发明涉及光敏探测器制备方法技术领域，具体涉及一种ZnO纳米墙RGO异质结光电气敏传感器及其制备方法。本发明采用以下步骤：1）多孔还原石墨烯的制备；2）在RGO表面原位生长ZnO种子层；3）在RGO表面原位生长ZnO纳米墙；4）老化制得成品...
该专利属于西安工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安工业大学授权不得商用。

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