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一种高温下纳米结构可控的金属氧化物半导体薄膜电极材料的制备方法技术
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文档序号:15784210
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本发明公开一种高温下纳米结构可控的金属氧化物半导体薄膜电极材料的制备方法。本发明以钛片为导电基底、钛片表面通过水热法生长羟基氧化铁纳米棒、利用葡萄糖为碳源在高温下合成纳米结构可控的复合电极材料碳层包覆的钛掺杂三氧化二铁纳米棒,即C/Ti‑F...
该专利属于湘潭大学所有,仅供学习研究参考,未经过湘潭大学授权不得商用。
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