下载等离子体刻蚀方法的技术资料

文档序号:15778443

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种等离子体刻蚀方法,用于对放置在等离子体反应腔室中的晶片进行加工处理,包括如下步骤:向反应腔室通入制程气体,制程气体至少包括刻蚀气体和侧壁保护气体;在反应腔室中产生一功率呈脉冲式变化的射频电场,以使反应腔室中交替进行刻蚀制程与侧...
该专利属于中微半导体设备(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中微半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。