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本发明公开了一种改善硅片表面微缺陷的方法。在依次经过450℃-700℃退火、1100℃-1250℃高温退火、600℃-800℃退火、950℃-1050℃退火的退火工艺中，在从800℃升温到1000℃的过程中，加入微量氢气。或者，在依次经过4...
该专利属于有研半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过有研半导体材料有限公司授权不得商用。

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