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本发明公开了一种高纯石英晶体的生长方法，包括以下步骤：选择铝含量＜20ppm的石英作为原料，对其进行清洗，得清洗后石英原料；利用氢氧化钠溶液对高压釜内壁以及位于高压釜内的原料筐、内挡板及带有籽晶片的籽晶架进行表面防护层处理；将清洗后石英原料...
该专利属于浙江博达光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江博达光电有限公司授权不得商用。

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