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基于磁控溅射和后硒化制备太阳能电池吸收层Sb2Se3薄膜的方法技术
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下载基于磁控溅射和后硒化制备太阳能电池吸收层Sb2Se3薄膜的方法的技术资料
文档序号:15757711
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本发明公开一种基于磁控溅射和后硒化制备太阳能电池吸收层Sb2Se3薄膜的方法。其特征衬底为镀钼薄膜、导电玻璃、钠钙玻璃、石英玻璃以及金属箔中的一种;磁控溅射的Sb2Se3靶材,纯度为96~99.9%;将Sb2Se3靶材通过磁控溅射在氩气氛围...
该专利属于福建师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过福建师范大学授权不得商用。
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