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本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板,涉及显示技术领域,可在不改变垂直结构的薄膜晶体管尺寸及厚度的基础上增大其沟道长度。该薄膜晶体管包括衬底,依次设置在衬底上的第一导电层、绝缘层、第二导电层,有源层、栅绝缘层、栅极;有源层、...该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。
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本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板,涉及显示技术领域,可在不改变垂直结构的薄膜晶体管尺寸及厚度的基础上增大其沟道长度。该薄膜晶体管包括衬底,依次设置在衬底上的第一导电层、绝缘层、第二导电层,有源层、栅绝缘层、栅极;有源层、...