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本发明涉及半导体结构元件(10)，它具有多个沟槽及设置在这些沟槽中的一种导电材料的区段(16，20)。导电材料(16)根据沟槽型MOSFET被用作栅极电极。没有用作栅极电极的一部分印制导线被电绝缘及用作栅极串联电阻(20)。此外还提出用于制...
该专利属于罗伯特·博世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗伯特·博世有限公司授权不得商用。

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