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本发明公开了一种台面型半导体器件的制造方法，包括N+型半导体衬底；N型半导体层，接合于所述N+型半导体衬底的表面；P+型半导体层，接合于所述N型半导体层的表面，与所述N型半导体层共同形成PN接合部；第一沟槽，从所述P+型半导体层的表面到达所...
该专利属于常州银河世纪微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州银河世纪微电子股份有限公司授权不得商用。

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