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本发明涉及GaN HEMT芯片生产制造领域，特别是涉及一种用于GaN HEMT芯片生产中通孔的刻蚀方法，包括如下步骤：(1)在SiC衬底背面，溅射或者蒸发第一层易腐蚀金属；(2)在SiC衬底背面进行通孔图形光刻，采用腐蚀液浸泡晶圆，去除通孔...该专利属于苏州本然微电子有限公司;河北远东通信系统工程有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州本然微电子有限公司;河北远东通信系统工程有限公司授权不得商用。