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本发明提供一种采用向改性Si薄膜引入辅助性离子提高光学性能的方法，属于半导体材料发光的技术领域。本发明基于Si离子自注入技术与快速热退火工艺，在SOI衬底上的Si膜中产生发光缺陷或团簇技术，首先采用金属蒸汽真空弧离子源离子注入机进行离子注入...
该专利属于云南大学所有，仅供学习研究参考，未经过云南大学授权不得商用。

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