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本发明公开一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其包括以下步骤：a、将SiC外延晶片置于加热的由硫酸与双氧水混合形成的混合洗液中浸泡；b、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，然后置于丙酮中超声波清洗；c、用去离子水冲洗SiC外延晶片...
该专利属于东莞市天域半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市天域半导体科技有限公司授权不得商用。

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