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本发明涉及一种双凹形高压陶瓷电容器及其制造工艺，所述电容器的陶瓷介电基体形状为圆柱上制造两圆台形空缺后形成的双凹形，即陶瓷基体边缘厚度大于中心，在陶瓷基体中心部位圆面与形如圆台侧面的凹形斜面之间设有截面为弧线的过渡面，陶瓷基体上设有电极，电...
该专利属于昆山萬豐電子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山萬豐電子有限公司授权不得商用。

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