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本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有图案化的牺牲材料层，在所述牺牲材料层上形成有具有第一开口的掺杂的背板层；步骤S2：在所述半导体衬底上、所述掺杂的背板层上和所述第...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。