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本发明属于磁存储技术领域，具体为一种可调控垂直交换耦合场大小的复合磁性多层膜结构。垂直复合薄膜结构为：玻璃衬底/Ta(5) /Cu(3) /[Co(0.28)/Ni(0.58)]...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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