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太阳能电池及其制造方法。本发明公开了一种太阳能电池，包括：半导体衬底；保护膜层，形成在半导体衬底的表面上；多晶半导体层，形成在保护膜层上方；第一导电区域，通过用第一导电掺杂剂选择性地掺杂半导体层形成；第二导电区域，掺杂有第二导电掺杂剂并且位...
该专利属于LG电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过LG电子株式会社授权不得商用。

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