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本发明提供一种图像传感器芯片的封装结构及封装方法，采用芯片背面的衬底沟槽刻蚀工艺来避免使用硅穿孔工艺，同时将沟槽底部暴露出的焊盘的外周边缘修正为阶梯状结构，由此来降低布线金属层的填充难度，增加后续填充的布线金属层与焊盘的接触面积，提高布线金...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。