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本发明提供一种沟槽栅IGBT及沟槽栅IGBT制作方法，其中，沟槽栅IGBT包括：衬底及位于衬底中的沟槽，沟槽上端露出衬底上表面，沟槽露出衬底上表面的部分被覆盖在衬底上表面的第一覆盖层覆盖，在相邻两个沟槽之间的衬底上设置有发射极区，发射极区及...
该专利属于株洲南车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲南车时代电气股份有限公司授权不得商用。

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