温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种GaN集成器件的制作方法，即通过外延结构的设计，将GaN HBT器件、PN限幅器和AlN 表声波滤波器（SAW）器件集成在一个芯片上而实现整个RF接收组件的器件级集成，使以下设想成为可能：在未来的射频通信中，射频信号进入射频接...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。