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本发明提供一种可改善编程不良的良率且进行不合格存储胞元的修复的半导体存储装置及与非型快闪存储器的编程方法。本发明的NAND型快闪存储器的编程方法包括以下步骤：对选择页面施加编程脉冲；判定选择页面的编程的合格与否；以及当判定为不合格时，在编程...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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