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本发明提供一种抗电磁干扰的黑磷烯基阻变存储器及其制备方法，该黑磷烯基阻变存储器从下至上依次包括衬底、Ti3C2ene薄膜底电极层、黑磷烯薄膜阻变功能层、Ti3C2ene薄膜顶电极层和披覆层，具体制备方法为：清洗衬底，在基底材料上转移Ti3C...
该专利属于东莞市佳乾新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市佳乾新材料科技有限公司授权不得商用。

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