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一种装置包含：半导体衬底；掺杂式隔离障壁，该掺杂式隔离障壁被安置在该半导体衬底中以隔离该装置；漏极区，该漏极区被安置在该半导体衬底中且在操作期间将电压施加到该漏极区；以及耗尽阱区，该耗尽阱区被安置在该半导体衬底中且具有与该掺杂式隔离障壁以及...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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