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本发明公开一种的SONOS工艺方法包括如下步骤：提供一硅衬底，在存储单元管的形成区域形成ONO层；进入炉管在所述选择管的形成区域生长栅氧化层，淀积多晶硅，并定义形成存储单元管的栅极及选择管的栅极；采用LDD注入的掩膜版对存储单元管和选择管进...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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