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一种NAND闪存的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括核心区和外围区；在核心区上形成多个相互分立的栅极叠层结构，相邻栅极叠层结构之间为凹槽；在凹槽中填充第一介质层；在第一介质层和栅极叠层结构表面形成可流动介质层；对可流动介质层固化...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。