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本发明提供一种半导体存储器的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底对应字线区的位置上形成第一光罩，定义字线区的位置，并光刻形成第一掩模图形；侧向刻蚀第一掩模图形；对所述第一介质层进行刻蚀，形成第一硬掩膜图形；进行离子注入，形成第一掺...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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