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本发明的半导体装置的制造方法，包含：从背面对第一导电型的半导体基板进行研磨的研磨工序；从所述半导体基板(101)的经研磨后的背面直接对所述半导体基板进行质子注入的注入工序；在注入工序后，通过在炉中对半导体基板(101)进行退火处理，形成具有...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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