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本发明提出了一种单晶硅及晶圆的形成方法，在采用直拉法形成单晶硅锭时，对熔融状的硅中通入包含氘气和氮气的气体，使氘原子和氮原子存储在单晶硅锭的间隙中，采用单晶硅锭形成晶圆后，在晶圆上形成的器件时，氘能够扩散出，并与界面处等悬空键进行结合，形成...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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