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本发明属于新材料技术制备领域，具体为Ti2AlC MAX相薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射的方式，溅射元素Ti和Al靶为固体复合靶，通过计算元素溅射率和测得的薄膜化学元素比调整固体靶的面积比，从而得到薄膜中理想的化学元素比；采用C的氢...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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