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本发明提供一种C/HfC-ZrC-SiC复合材料的制备方法，本发明采用高孔隙率的低密度复合材料，使用真空压力浸渍方法，在低密度复合材料中引入碳先驱体的同时引入一定量的硅铪合金和硅锆合金，在后续反应熔渗中，内外同时硅铪合金和硅锆合金进行反应熔...
该专利属于航天特种材料及工艺技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过航天特种材料及工艺技术研究所授权不得商用。

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