温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及激光器技术领域，提供了一种基于SOI的异质结热不敏感激光器结构和制造方法。其中结构包括SOI衬底、三五族有源区波导、负折射率温度系数的聚合物波导和硅波导，所述三五族有源区波导的出光口与所述硅波导的进光口耦合，所述硅波导的出光口与所...
该专利属于武汉电信器件有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉电信器件有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。