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公开了半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器。该半导体装置包括：化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体衬底之上的多个化合物半导体层；以及覆盖所述化合物半导体堆结构的表面的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜为氮化硅膜，所述氮化硅膜在顶侧上包括含有...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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