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本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型GaN层、量子缓冲层、发光层、P型GaN层，发光层包括若干子层，子层包括量子阱层和层叠在量子阱层上的量...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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