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本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及一种基于极化诱导空穴法的ZnO基p‑i‑n结构紫外探测器及其制备方法。本发明探测器包括衬底、缓冲层、n型ZnO层、i型ZnO绝缘层、p型Mg组份梯度线性渐变的MgZnO层以及在p、n型层上沉积的金属接触...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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