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一种增强型N‑型场效晶体管具有一金属氧化物通道层、一闸极介电层、一闸极电极、一源极电极、及漏极电极。该金属氧化物通道层具有选自SnO2、氧化铟锡(ITO)、ZnO、及In2O3的一材料且具有小于一阈值的一厚度。该金属氧化物通道层之该厚度小于...
该专利属于先进元件研发公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进元件研发公司授权不得商用。

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