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本发明提供一种用于高压ESD保护的高维持电流LDMOS结构，包括P型衬底、NWELL区、NP接触区、P型衬底表面的薄栅氧化层、多晶硅栅电极、P衬底表面注入的NP源极接触区、PP衬底、NTOP层，NTOP层左边缘与NP接触区右边缘的距离为D1...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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