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本发明的一种沟槽栅金属氧化物场效应晶体管，包括：正面、背面金属电极，N型单晶衬底，N型外延层，第一P型掺杂区，在N型外延层和第一P型掺杂区的中央部分设有垂直沟槽，在沟槽中的栅极侧壁与第一P型掺杂区之间为第一介质层，栅极底部与外延层之间为第二...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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