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本发明公开了一种超结器件的制造方法及超结器件，其中，方法包括：以1～2um/min的单晶硅生长速度在第一类型衬底上外延生长n层第一类型的单晶硅层，以最多在n‑2层单晶硅层上形成与第一类型衬底上的第一光刻对位标记正对的第二光刻对位标记，且当n...
该专利属于江苏华弗半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏华弗半导体有限公司授权不得商用。

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