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本发明公开一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该结构中设置辅助耗尽衬底埋层于漏端下方，该埋层可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区，从而突破由于纵向耐压受限而带来的电压饱和现象，同时该埋层还能够利用电场调制效应对表面...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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