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本发明提供了一种超结碳化硅器件及其制备方法，所述制备方法包括在具有第一导电类型的碳化硅衬底的正面生长具有第一导电类型的第一外延层；在第一外延层内形成一个或多个沟槽；在沟槽内按照由下到上的顺序依次生长多个具有第二导电类型的第二外延层，直至完成...该专利属于全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网山东省电力公司所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网山东省电力公司授权不得商用。