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本发明公开了一种具有部分本征GaN帽层的新型槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管。这种新型晶体管结构是在晶体管栅极边缘引入本征GaN帽层，该本征GaN帽层会降低该区域导电沟道的二维电子气浓度，实现电场调制效应。通过产生新...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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