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本发明公开了一种沟槽栅IGBT，包括：漂移区，集电区，P型体区；栅极沟槽以及形成于栅极沟槽底部表面和侧面的栅介质层和填充于栅极沟槽中多晶硅栅。多晶硅栅的顶部表面低于区熔硅的顶部表面，源区通过带倾角的自对准离子注入形成于多晶硅栅顶部的栅极沟槽...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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