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本发明公开了一种薄膜晶体管,包括形成在衬底基板上的有源层、栅电极、源电极和漏电极,其中,所述源电极和漏电极相互间隔设置,所述源电极与所述有源层之间以及所述漏电极与所述有源层之间分别设置有导电碳膜,所述源电极和所述漏电极通过所述导电碳膜分别电...该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种薄膜晶体管,包括形成在衬底基板上的有源层、栅电极、源电极和漏电极,其中,所述源电极和漏电极相互间隔设置,所述源电极与所述有源层之间以及所述漏电极与所述有源层之间分别设置有导电碳膜,所述源电极和所述漏电极通过所述导电碳膜分别电...