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本发明提出了一种具有渐变沟道的高压无结场效应器件及其形成方法，在半导体沟道层上和介质层之间形成有漂移区，能够使形成的高压无结场效应器件具有较高的击穿电压，并且在半导体沟道层表面形成有渐变的注入杂质，能够使器件的开启速率更快，此外，形成的高压...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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