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本发明提供一种大功率平面栅D‑MOSFET结构设计，所述平面栅D‑MOSFET为N‑MOS结构或P‑MOS结构，所述N‑MOS结构的P‑阱结构转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构；所述P‑MOS结构的N‑阱结构转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构。...
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