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一种具有高击穿电压的氮化镓高电子迁移率晶体管及其形成方法，所述高电子迁移率晶体管包括：衬底；位于所述衬底上的氮化镓沟道层；位于所述氮化镓沟道层上的第一势垒层；位于所述第一势垒层上的栅极、源极和漏极，所述源极和漏极分别位于所述栅极的两侧；位于...
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